Meie Teenus

Ränikarbiid

Ränikarbiid, mida nimetatakse ka karborundiks, on ränist ja süsinikust valmistatud ühend. Seda keemilist ühendit leidub mineraalis, mida nimetatakse moissaniidiks. Looduslikult esinev ränikarbiidi vorm on oma nime saanud prantsuse apteekri dr Ferdinand Henri Moissani järgi. Moissaniiti leidub tavaliselt väga väikestes kogustes meteoriitides, kimberliidis ja korundis. Seetõttu on enamik kaubanduslikke ränikarbiidi sünteetilised. Kuigi Maalt on raske leida looduslikult esinevat ränikarbiidi, leidub seda kosmoses üsna palju. Ränikarbiid on tänapäeval üks kasulikumaid keemilisi ühendeid maailmas. Selle rakendus hõlmab paljusid tööstusharusid.

Küsi pakkumist

Meie tehas

NY TWO GLOBAL on tulekindlate ja abrasiivmaterjalide tööstuses tugevalt esindatud juba kümme aastat tagasi. Kombineerides allikaid ja optimeeritud ekspertmeeskonda, laiendame oma äritegevust sulami-, suurkottide ja jaemüügitööstusesse. Meil on kaks 100% omanduses olevat BFA tehast ja üks suurte kottide tehas. Investeerides mõnda teistesse tulekindlatesse tehastesse, parandame oma tootmispositsiooni ja kvaliteedikontrolli parema hinna nimel. Tulekindlad ja abrasiivsed toorained: ränikarbiid, valge sulatatud alumiiniumoksiid, valge tabelalumiiniumoksiid, must ränikarbiid, sulatatud mulliit, boksiit, sulatatud magneesia, Surnud põletatud magneesium, kaltsineeritud alumiiniumoksiid jne. Sulam: kõrge-keskmise-madala süsinikusisaldusega ferromangaan, kõrge süsinikusisaldusega ferrokroom, madala süsinikusisaldusega ferromokroom, ränimangaan, ferrosilikoon, ränimetall, mangaanmetall, südamikuga juhtmed, incoulantid jne.

Miks valida meid

Tehase tugevus
NY TWO GLOBAL on tulekindlate ja abrasiivmaterjalide tööstuses tugevalt esindatud juba kümme aastat tagasi. Ühendades allikad ja optimeeritud ekspertmeeskonna, laiendame oma äritegevust sulami-, suurkottide ja jaemüügitööstusesse.

Kvaliteedikontroll
Reaalajas andmete testimine ja kontrollimine iga tootmisetapi jaoks meie enda laboris.

Meie sertifikaat
Kõik meie tehased vastavad standarditele ISO 9001:2015, ISO 14001:2015 ja OHSAS 18001:2007.

Tootmisturg
Tänu tugevale kohalolekule Hiinas, Indias, Türgis, Euroopas ja USA-s on meil tihedad sidemed iga tööstusharu peamise tegijaga.

Seotud toode

Tsirkooniumoksiidi helmed

Tsirkooniumoksiidi helmestes kasutatakse stabilisaatorina haruldaste muldmetallide ütriumoksiidi, kõrge valgeduse ja tooraine kõrge peenuse kasutamist, et materjal ei saastaks. Peen mikrostruktuur, sile tööpind, vähendab helmeste sisemist hõõrdumist, parandab lihvimise efektiivsust. 2, võib olla

Pruun korund abrasiivliiv

Pruuni korundi abrasiivliiva kasutatakse laialdaselt osade töötlemiseks ülipeeneks lihvimiseks, kuid see võib valmistada ka tulekindlaid materjale, soojusisolatsioonipaneele, keraamilisi tööriistu, pruuni korundi abrasiivliiva saab kasutada ka pihustatava toorainena.

Ränikarbiid

Professionaalne varustus JS standard 240#--8000# Ränikarbiid: erikaal: 3,2 Puistetihedus: 1.45-1.56g/cm3 Mohsi kõvadus: 9,15 Tavalised koostisosad (%6): SiC :292.5 Vaba C: s0.30Fe 0:s1.2 Kuju: hulknurkne Värv: roheline: 25kg pakk. Ränikarbiidi toote tutvustus: roheline ränikarbiid..

Kuubikujuline ränikarbiid / B-SiC

Kuubikujuline ränikarbiid, tuntud ka kui B-SiC, on kuubikujuline kristallisüsteem (adamantiini kristallitüüp). Kuupmeetrilise ränikarbiidi /B-SiC kõvadus on 9.25-9.6, mis on teemandil 10 lähedal ja viimistlus on parem kui teemant. Kuubikujuline ränikarbiid /B-SiC on krüsospari järel teine *1.

Must ränikarbiid

Must ränikarbiidi pulber on valmistatud kvaliteetsest ränikarbiidist ja toorainena naftakoksist, mida sulatatakse kõrgel temperatuuril üle 2000 kraadi takistusahjus üle 46 tunni. Musta ränikarbiidi kõvadus on korundi ja teemandi vahel

Mulliittellistest toote tutvustus

Kõrge alumiiniumoksiidiga tulekindel, mille peamise kristallilise faasina on mulliit (Al2O3•SiO2). Üldiselt on alumiiniumoksiidi sisaldus vahemikus 65% kuni 75%. Lisaks mulliidile sisaldab madalam alumiiniumoksiidi sisaldus vähesel määral ka klaasfaasi ja kristobaliiti; Kõrgem alumiiniumoksiidi sisaldus sisaldab ka a.

WA Valge korundliiv

WA valge korundliiv on valmistatud toorainena alumiiniumoksiidi pulbrist, mis kristalliseeritakse elektrolüüsi teel. Selle kõvadus on veidi kõrgem kui pruunil korundil, veidi madalam sitkus, kõrge puhtusaste, tugev lihvimisjõud, madal soojusvõimsus, kõrge kasutegur, hape ja leelis.

Alumiiniumoksiidi liiv

Alumiiniumoksiidi liiv: kuju: hulknurkne Mohsi kõvadus: 9 Erikaal: 3.95-3.97 Puistetihedus: GB10-220:1.6-1.97g /cm3 GB240-1200: {{10}}.7-1,7g/cm3 Tüüpiline koostis (%6): Al203:99,60Na20:0,18Si02 :0.01 Fe203:0.02 CaO+Mgo: 0.02 Värv: valge Pakend: 25kg pakk

Elektriline sulamulliit

[Toote spetsifikatsioonid]: erinevad liiva, pulbri spetsifikatsioonid [Tootmisvõimsus]: 50,000 tonni aastas 【 Kasutusala 】: metallurgia-, keraamika-, ehitusmaterjali-, keemia-, elektri- ja valutööstus. 【 Toote tutvustus 】: Elektriline sulatatud mulliit on omamoodi kõrge kvaliteediga.

Mis on ränikarbiid

Ränikarbiidi eelised

Suurepärane jõudlus kõrgel temperatuuril
Ränikarbiidist toodete sulamistemperatuur on kuni 2700 kraadi, mis suudab säilitada oma struktuurse stabiilsuse ja tugevuse kõrge temperatuuriga keskkondades, mistõttu seda kasutatakse laialdaselt kõrge temperatuuriga sulametallides, kõrge temperatuuriga kuumutusahjudes, kõrge temperatuuriga naftakeemiatööstuses. ja muud valdkonnad.

Tugev korrosioonikindlus
Ränikarbiidil on suurepärane korrosioonikindlus ja see võib pikka aega stabiilselt töötada happelises, leeliselises ja oksüdatiivses keskkonnas.

Kõrge kõvadus ja kõrge tugevus
Ränikarbiidil on suurem kõvadus ja tugevus kui traditsioonilistel keraamilistel materjalidel, seega on sellel hea kulumis- ja löögikindlus.

Suurepärane soojusjuhtivus ja elektrijuhtivus
Ränikarbiidil on kõrge soojusjuhtivus ja suurepärane elektrijuhtivus, seetõttu kasutatakse seda laialdaselt suure võimsusega elektroonikakomponentide ja radiaatorite valmistamisel.

SiC omadused

SiC polütüpism
SiC on tuntud oma polütüüpsuse (erinevad kristalsed struktuurid) poolest, mis tekib Si ja C virnastamisest mööda peatelge (C-telg). AaBbCcAaBbCc virnastamine tekitab 3C-SiC tsingi seguvõre, AaBbAaBb genereerib 2H-SiC wurtsiitvõrega ja AaBbAaCcAaBbAaC genereerib 4H-SiC võre. Erinevad kristallvormid erineva aatomite arvuga rakuühiku kohta mõjutavad polütüüpide füüsikalisi omadusi erinevate elektrooniliste energiaribade ja vibratsiooniharude tõttu.

Bändi struktuur
SiC erinevatel kristallvormidel on erinev ribalaiuse suurus, vahemikus 2,4 eV (3C-SiC) kuni 3,35 eV (2H-SiC), mis on nende elektrooniliste ja optiliste omaduste määramisel üliolulised. SiC polütüübid on kaudsed pooljuhid, mis tähendab, et väikseima ribalaiusega polütüüp (3C-SiC ) kuni suurima ribalaiusega polütüüp (2H-SiC) nõuab fonoonide (kvanteeritud vibratsioonirežiimide) osalemist. Kuigi SiC polütüübid on kaudsed pooljuhid, on need suurepärased kandidaadid energiarakenduste jaoks.

Doping
Doping on füüsikaline meetod, mida kasutatakse SiC soovitud elektriliste omaduste saamiseks. Selle protsessi käigus sisestatakse kristallide kasvufaasis element, kas aktseptor (alumiinium/boor/gallium) või doonor (lämmastik/fosfor), et muuta selle juhtivust. Kuna difusioon ei ole teostatav meetod SiC dopeerimiseks, kasutatakse SiC dopimiseks ioonide implanteerimist koos lisandi aktiveerimisega kõrgtemperatuurse kuumutamise teel. Varasemad uuringud teatasid SiC lämmastikuga dopimise edust sellistes rakendustes nagu võimsuskadude vähendamine vertikaalsetes toiteseadmete struktuurides ja kõrgsagedusrakendustes.

Elektrilised omadused
Tahtmatu doping lämmastiku doonoritega kasvuprotsessi ajal näitab, et neil on kasvuprotsessi ajal liigseid elektrone, mis näitab n-tüüpi juhtivust SiC-s. Legeeritud lämmastikuaatomid asendavad võrekohtades süsinikuaatomeid, muutes ionisatsioonienergiat erineva kohaliku keskkonna ja spetsiifilise interferentsi mõju tõttu. Lisaks aitavad Halli mõõtmised määrata lämmastiku doonorite kontsentratsiooni, eeldades võrdset jaotumist erinevate võresaitide vahel.

Keemiline stabiilsus
SiC läbib kerge oksüdatsiooni ja moodustab ränidioksiidi (SiO2) kile, mis järk-järgult takistab oksüdatsiooniprotsessi. Kui aga samaaegselt eksisteerivad ained, mis võivad eemaldada või purustada ränidioksiidi kile, saab ränidioksiidi edasi oksüdeerida. SiC ei lahustu kergesti hapetes ega alustes, kuid leeliselised sulamid võivad seda kergesti rünnata. SiC-s leiduvate esmaste lisandite hulka kuuluvad C ja SiO2 ning lisandite hulk varieerub olenevalt toote tüübist.

Ränikarbiidi pealekandmine

01/

Sõjalises kuulikindlas turvises kasutatav ränikarbiid
Ränikarbiidi kasutatakse kuulikindlate soomuste tootmiseks. Selle ühendi omadus, mis muudab selle selliseks otstarbeks kasutamiseks, on selle kõvadus. Kuulid ja muud kahjulikud esemed peavad võitlema ränikarbiidi moodustavate kõvade keraamiliste plokkidega. Kuulid ei suuda keraamilisi plokke läbistada.

02/

Pooljuhtides kasutatav ränikarbiid
Ränikarbiid muutub pooljuhiks, kui sellele lisatakse lisandeid. Ränikarbiidile lisatud lisandid, nagu boor ja alumiinium, muudavad selle p-tüüpi pooljuhiks. Teisest küljest muudavad ränikarbiidile lisatud lisandid, nagu lämmastik ja fosfor, n-tüüpi pooljuhiks. Seda postitust saate lugeda, et saada lisateavet p-tüüpi pooljuhtide ja n-tüüpi pooljuhtide erinevuste kohta.

03/

Abrasiivides kasutatav ränikarbiid
Ränikarbiidi kasutatakse tavaliselt abrasiivina selle kõvaduse tõttu. Seda kasutatakse lihvketaste, lõikeriistade ja liivapaberi valmistamisel. Ränikarbiidist abrasiivid on tavaliselt odavamad kui teised sarnase kvaliteediga abrasiivid. Abrasiive kasutatakse materjalide, nagu teras, alumiinium, malm ja kumm, lihvimiseks.

04/

Elektrisõidukites kasutatav ränikarbiid
Ränikarbiid on elektrisõidukite toiteks räni asemel parem valik. Ränikarbiidil töötavad elektrisõidukid on väga tõhusad ja kulutõhusad. Praegu on paljud tuntud ettevõtted elektrisõidukite, näiteks Tesla, tootmisel kasutanud ränikarbiidi tõhususe ja ulatuse parandamiseks.

05/

Ehetes kasutatav ränikarbiid
Struktuurilt sarnane teemandiga, kuid samas läikivam, odavam, vastupidavam ja kergem kui teemant, on ränikarbiid juveelitööstuses teemandile hästi teenitud alternatiiv.

06/

Kütuses kasutatav ränikarbiid
Lisaks muudele kasutusaladele kasutatakse ränikarbiidi kütusena. Seda kasutatakse kütusena terasetööstuses ja see toodab puhtamat terast kui enamik teisi kütuseid. See on ka odavam ja keskkonnasõbralikum kütus.

Kuidas valida ränikarbiidi

Oma tulekindlate vajaduste tuvastamine
Esimene samm sobiva tulekindla materjali valimisel on rakenduse spetsiifiliste vajaduste väljaselgitamine. Võtke arvesse temperatuurivahemikku, millele tulekindlad materjalid peavad vastu pidama, keemilist keskkonda ja konkreetset rakendust. See aitab valikuid kitsendada ja tagab sobiva tulekindla materjali valimise.

Tulekindlate materjalide uurimine
Kui teie nõuded on kindlaks tehtud, on oluline uurida saadaolevaid erinevat tüüpi tulekindlaid materjale. Arvestage soojuslöögikindlust, keemilist vastupidavust ja muid olulisi tegureid.

Kaaluge oma eelarvet
Tulekindla materjali valimisel on oluline arvestada eelarvega. Erinevatel tulekindlatel materjalidel on erinevad hinnad ja oluline on valida eelarvesse mahutav materjal. Lisaks on ülioluline arvestada kogu omamiskulu, sealhulgas paigaldus-, hooldus- ja remondikulud.

Ränikarbiidi kvalifikatsiooni järgi
Klientide usalduse võitmiseks teostab ränikarbiidi tootja tavaliselt ränikarbiidi kvaliteedisertifikaati. Seega, kui ostame ränikarbiidi, saame kontrollida ränikarbiidi tootja kvalifikatsiooni. Mida autoriteetsem on sertifitseerimisasutus, seda parem on ränikarbiid.

Kuidas ränikarbiidi valmistatakse?

Lely meetod

Selle protsessi käigus kuumeneb graniidist tiigel väga kõrgele temperatuurile, tavaliselt induktsiooni teel, et sublimeerida ränikarbiidi pulber. Madalama temperatuuriga grafiitvarras suspendeerub gaasilises segus, mis võimaldab puhtal ränikarbiidil ladestuda ja kristalle moodustada.

Keemiline aurustamine-sadestamine

Teise võimalusena kasvatavad tootjad kuupmeetrit ränikarbiidi keemilise aurustamise-sadestamise abil, mida tavaliselt kasutatakse süsinikul põhinevates sünteesiprotsessides ja mida kasutatakse pooljuhtide tööstuses. Selle meetodi puhul siseneb spetsiaalne keemiline gaasisegu vaakumkeskkonda ja ühineb enne substraadile sadestamist.

Ränikarbiidi ladustamise ettevaatusabinõud

Korrapärane ladustamine, võimalikult sama partii number ridades, et vältida vigu materjalide võtmise protsessis.

Ränikarbiidi mikropulbril on tugev niiskusimav, püüdke vältida niiskuskindla kilehoidla eemaldamist; see võib vältida niiskuse kogunemist, lühendada kuivamisaega.

Võimaluse piires kasutada materjali esimene sisse, esimene välja põhimõtet, et vältida liigsest säilitusajast tingitud tooraine kokkukleepumist.

Kui ülipeent ränikarbiidipulbrit transpordipakendis on katki, proovige tolmusaaste vältimiseks hoida eraldi.

Soovitatav on ladu võimalikult suletud, eraldi hoida ning pöörata tähelepanu niiskusele, tuulele ja vihmale.

Meie tehas

KKK

K: Milleks ränikarbiidi kasutatakse?

V: Ränikarbiidist elemente kasutatakse tänapäeval klaasi ja värvilise metalli sulatamisel, metallide kuumtöötlemisel, floatklaasi tootmisel, keraamika- ja elektroonikakomponentide tootmisel, gaasiküttekehade märgutulede süütajatel jne. -termin) tervisemõjud võivad ilmneda kohe või varsti pärast kokkupuudet ränikarbiidiga: * Ränikarbiid võib kokkupuutel silmi ja nina ärritada. * On vähe tõendeid selle kohta, et ränikarbiid põhjustab loomadel vähki. See võib põhjustada kopsuvähki.

K: Millised on SiC rakendused elektroonikaseadmetes?

V: Ränikarbiid on pooljuht, mis sobib suurepäraselt toiteseadmetega, eelkõige tänu oma võimele taluda kõrgeid pingeid, mis on kuni kümme korda kõrgemad kui räniga kasutatavad. Ränikarbiidil põhinevad pooljuhid pakuvad suuremat soojusjuhtivust, suuremat elektronide liikuvust ja väiksemaid võimsuskadusid. SiC dioodid ja transistorid võivad töökindlust kahjustamata töötada ka kõrgematel sagedustel ja temperatuuridel. SiC-seadmete, nagu Schottky dioodid ja FET/MOSFET-transistorid, peamised rakendused hõlmavad muundureid, invertereid, toiteallikaid, akulaadijaid ja mootori juhtimissüsteeme.

K: Miks SiC ületab energiarakendustes Si?

V: Vaatamata sellele, et räni on elektroonikas kõige laialdasemalt kasutatav pooljuht, hakkab räni näitama mõningaid piiranguid, eriti suure võimsusega rakendustes. Nende rakenduste oluline tegur on pooljuhtide pakutav ribalaius või energiavahe. Kui ribalaius on suur, võib selle kasutatav elektroonika olla väiksem, töötada kiiremini ja töökindlamalt. See võib töötada ka kõrgematel temperatuuridel, pingetel ja sagedustel kui teised pooljuhid. Kui räni ribalaius on umbes 1,12 eV, siis ränikarbiidi väärtus on peaaegu kolm korda suurem, umbes 3,26 eV.

K: Miks suudab SiC nii kõrgeid pingeid taluda?

V: Toiteseadmed, eriti MOSFET-id, peavad suutma taluda ülikõrgeid pingeid. Tänu elektrivälja dielektrilisele läbilöögiintensiivsusele, mis on umbes kümme korda suurem kui räni oma, võib SiC saavutada väga kõrge läbilöögipinge, 600 V kuni mõne tuhande volti. SiC võib kasutada suuremaid dopingukontsentratsioone kui räni ja triivikihid saab muuta väga õhukeseks. Mida õhem on triivikiht, seda väiksem on selle takistus. Teoreetiliselt saab kõrge pinge korral triivikihi takistust pindalaühiku kohta vähendada 1/300-ni räni omast.

K: Miks võib SiC kõrgetel sagedustel ületada IGBT-d?

V: Suure võimsusega rakendustes on IGBT-sid ja bipolaarseid transistore enamasti kasutatud minevikus, eesmärgiga vähendada sisselülitamistakistust, mis tekib kõrge läbilöögipinge korral. Need seadmed pakuvad aga märkimisväärseid lülituskadusid, mille tulemuseks on soojuse tootmisega seotud probleemid, mis piiravad nende kasutamist kõrgetel sagedustel. SiC abil on võimalik valmistada seadmeid, nagu Schottky barjääridioodid ja MOSFET-id, mis saavutavad kõrge pinge, madala sisselülitamistakistuse ja kiire töö.

K: Milliseid lisandeid kasutatakse ränikarbiidi materjali legeerimiseks?

V: Puhtal kujul käitub ränikarbiid nagu elektriisolaator. Lisandite või lisandite kontrollitud lisamisega võib SiC käituda nagu pooljuht. P-tüüpi pooljuhi saab saada alumiiniumi, boori või galliumiga legeerimisel, samas kui lämmastiku ja fosfori lisanditest tekib N-tüüpi pooljuht. Ränikarbiidil on võime juhtida elektrit teatud tingimustel, kuid mitte teistes tingimustes, mis põhinevad sellistel teguritel nagu infrapunakiirguse pinge või intensiivsus, nähtav valgus ja ultraviolettkiired. Erinevalt teistest materjalidest on ränikarbiid võimeline juhtima seadme valmistamiseks vajalikke P- ja N-tüüpi piirkondi laias vahemikus. Nendel põhjustel on SiC materjal, mis sobib toiteseadmetele ja suudab ületada räni pakutavad piirangud.

K: Kuidas saavad SiC pooljuhid saavutada parema soojusjuhtimise kui räni?

V: Teine oluline parameeter on soojusjuhtivus, mis näitab, kuidas pooljuht suudab tekitatud soojust hajutada. Kui pooljuht ei suuda soojust tõhusalt hajutada, kehtestatakse piirang maksimaalsele tööpingele ja temperatuurile, mida seade talub. See on veel üks valdkond, kus ränikarbiidi jõudlus ületab räni: ränikarbiidi soojusjuhtivus on 1490 W/mK, võrreldes räni pakutava 150 W/mK.

K: Kuidas on SiC pöördtaasteaeg võrreldes Si-MOSFETiga?

V: SiC MOSFETidel, nagu ka nende räni analoogidel, on sisemine korpuse diood. Üks peamisi kehadioodi pakutavaid piiranguid on soovimatu vastupidine taastumiskäitumine, mis ilmneb siis, kui diood lülitub välja positiivse edasivoolu kandmisel. Pöördtaasteaeg (trr) muutub seega oluliseks indeksiks MOSFET-i omaduste määratlemisel. Joonisel 2 on näidatud 1000 V Si-põhise MOSFET-i ja SiC-põhise MOSFET-i trr-i võrdlus. Nagu näha, on SiC MOSFETi kehadiood ülikiire: trr ja Irr väärtused on nii väikesed, et need on tühised ning energiakadu Err on tunduvalt vähenenud.

K: Miks on pehme väljalülitamine lühisekaitse jaoks oluline?

V: Teine oluline SiC MOSFETi parameeter on lühise vastupidavusaeg (SCWT). Kuna SiC MOSFET-id hõivavad kiibis väga väikese ala ja neil on suur voolutihedus, on nende võime taluda lühiseid, mis võivad põhjustada termilisi katkestusi, olema madalam kui ränipõhistel seadmetel. Näiteks TO247 paketiga 1,2 kV MOSFETi puhul on lühise vastupidavus Vdd=700V ja Vgs=18V juures umbes 8-10 μs. Kui Vgs väheneb, siis küllastusvool väheneb ja vastupidavusaeg pikeneb. Kui Vdd väheneb, tekib vähem soojust ja pikeneb vastupidavus. Kuna SiC MOSFETi väljalülitamiseks kuluv aeg on äärmiselt lühike, võib kõrge väljalülituskiiruse Vgs korral kõrge dI/dt põhjustada tõsiseid pingetõusid. Seetõttu tuleks paisu pinge järk-järguliseks alandamiseks kasutada pehmet väljalülitust, vältides ülepinge tippe.

K: Miks on isoleeritud värava juht parem valik?

V: Paljud elektroonikaseadmed on nii madal- kui ka kõrgepingeahelad, mis on omavahel ühendatud juhtimis- ja toitefunktsioonide täitmiseks. Näiteks veojõumuundur sisaldab tavaliselt madalpinge primaarpoolt (toite-, side- ja juhtimisahelad) ja sekundaarset külge (kõrgepingeahelad, mootor, toiteaste ja abiahelad). Primaarpoolel asuv kontroller kasutab tavaliselt kõrgepingepoolset tagasiside signaale ja on vastuvõtlik võimalikele kahjustustele, kui isolatsioonitõke puudub. Isolatsioonitõke isoleerib elektriliselt primaar- ja sekundaarkülje ahelad, moodustades eraldi maandusreferentsid, rakendades nn galvaanilist isolatsiooni. See hoiab ära soovimatute vahelduv- või alalisvoolu signaalide kandumise ühelt küljelt teisele, mille tulemuseks on toitekomponentide kahjustamine.

K: Millised on ränikarbiidi peamised kasutusalad?

V: Ränikarbiid on tänu oma vastupidavusele ja materjali suhteliselt madalale hinnale väga populaarne abrasiiv tänapäevastes lehtedes. Seetõttu on see kunstitööstuse jaoks ülioluline. Töötlevas tööstuses kasutatakse seda ühendit selle kõvaduse tõttu mitmetes abrasiivsete töötlemisprotsessides, nagu lihvimine, lihvimine, veejoaga lõikamine ja liivapritsiga töötlemine.

K: kommenteerige ränikarbiidi kõvadust?

V: Ränikarbiidil on võime moodustada ülikõva keraamiline aine, mistõttu on see kasulik mootorsõidukite pidurites ja sidurites ning ka kuulikindlates vestides. Lisaks oma tugevuse säilitamisele kuni 1400 kraadi juures on sellel keraamikal kõrgeim korrosioonikindlus kõigi täiustatud keraamika seas.

K: Kas ränikarbiid lahustub vees?

V: Ränikarbiid on vees lahustumatu. Küll aga lahustub see sula leelistes (nagu NaOH ja KOH) ja ka sulas rauas. Ränikarbiidi võib pidada räniorgaaniliseks ühendiks.

K: Miks on ränikarbiid nii kallis?

V: Ühe ränikarbiidi (SiC) kiibi maksumus võib varieeruda sõltuvalt mitmest tegurist, sealhulgas konkreetsest rakendusest, suurusest, keerukusest ja tootmisprotsessist. Üldiselt on ränikarbiidi kiibid kallimad kui traditsioonilised ränikiibid tänu täiustatud materjalidele ja tootmismeetoditele.

K: Mille jaoks on ränikarbiid parim?

V: Kuna ränikarbiidist abrasiivid purunevad kergesti ja säilitavad terava lõikejõu, kasutatakse neid tavaliselt kõvade madala tõmbetugevusega materjalide (nt jahutatud raud, marmor ja graniit) ning teravat lõikamist vajavate materjalide (nt kiud, kumm) lihvimiseks. nahk või vask.Habras: ränikarbiidist tooted on habras ega sobi mõnesse keskkonda, kus on suured osakesed ja neid on kerge kuluda. 4. Kehv töödeldavus: ränikarbiidist toodete töödeldavus on halb ja töötlemine keeruline, mistõttu on raske valmistada keerulise kujuga ränikarbiidist tooteid.

K: Kas ränikarbiid on kuulikindel?

V: Keraamilisi materjale, nagu ränikarbiid (SiC), peetakse nende muljetavaldava tugevuse ja vastupidavuse tõttu ideaalseks vintpüssi kuulide peatamiseks. Ränikarbiidi saab kombineerida tugimaterjalidega ja sisestada kaitsevestidesse, et pakkuda kehale elutähtsat kaitset suure kiirusega mürskude eest. Ränikarbiid esineb looduses üliharuldase mineraalina, tuntud kui moissaniit, mis leiti esmakordselt 1893. aastal Arizona Canyon Diablo meteoriidist. kraater.

K: Kas ränikarbiid lahustub vees?

V: Ränikarbiid on vees lahustumatu. Küll aga lahustub see sulaleelistes (nagu NaOH ja KOH) ja ka sulas rauas. 2022. aasta juulis teatas MIT News, et kuubikboorarseniid võib olla räni võimalik alternatiiv. Kuubiline boorarseniid juhib soojust ja elektrit paremini kui räni.

K: Kas ränikarbiid on tugevam kui teemant?

V: Ränikarbiid on kõva, Mohsi kõvadusega 9,5, mis on maailma kõvema teemandi järel teine. Lisaks on ränikarbiidil suurepärane soojusjuhtivus. See on omamoodi pooljuht ja talub kõrgel temperatuuril oksüdeerumist. Ränikarbiid (SiC), tuntud ka kui karborund, on räni ja süsiniku ühend keemilise valemiga SiC.

K: Kumb on parem ränikarbiid või volframkarbiid?

V: Ränikarbiid pulbri kujul suurendab oluliselt surve- ja tõmbetugevust [19]. Volframkarbiid (WC) on kasulik, kuna see on kiirguskaitsematerjal. Nanopulbri kujul olev WC pakub suuremat kaitset kiirguse eest ja paremat survetugevust. Tesla teatas tulevase sõiduki uuest jõuallikast, millel on 75% vähem ränikarbiidi komponente. Ränikarbiidiga seotud kiibitootjad sukeldusid uudistesse, kuigi tööstuse võtmeisik Aehr Test Systems ei näe, et Tesla teadaanne oleks tulevasele nõudlusele suurt mõju.

K: Kas ränikarbiidiga saab klaasi lõigata?

V: Ränikarbiidist rattad on kasulikud klaasi, kvartsi, keraamika, titaani, volframi, tsirkooniumi, uraani, berülliumi ja germaaniumi, kiudude, plastide (nt fenoolid) ja kiududega tugevdatud plastide lõikamiseks. Peamised ohud on kokkupuude nahaga kantserogeen või kristallilise ränidioksiidi sissehingamine, mis võib teie kopse kahjustada. Mõned USA osariigid, NJ on üks näide, loetlevad ränikarbiidi ohtliku ainena.

Kuum tags: ränikarbiidi, Hiina ränikarbiidi tootjad, tarnijad

Paari: Magnaaliumi pulber

Järgmise: Pruun sulatatud alumiiniumoksiid

Ju gjithashtu mund të pëlqeni

Küsi pakkumist